IBM和三星共同开发VTFET芯片技术：手机充电2周，帮助实现1nm以下工艺

奇妙源码网 12 月 13 日信息，在加利福尼亚州美国旧金山举行的 IEDM 2021 国际性电子元器件大会中，IBM 与三星一同发布了名叫垂直传送场效晶体管 (VTFET) 的ic设计技术，该技术将晶体管以垂直方法层叠，而且让电流量也改以垂直方法商品流通，借此机会让晶体管总数相对密度再度提升以外，更大幅度提高开关电源利用高效率，而且提升现阶段在 1nm 制程设计方案遭遇短板。

相较传统式将晶体管以水准方法层叠的设计方案，垂直传送场效晶体管将能提升晶体管总数层叠相对密度，而且让计算速率提高二倍，与此同时根据让电流量以垂直方法商品流通，也让电力工程耗损减少 85%（特性和续航力不可以与此同时兼具）。

IBM 和三星宣称，该加工工艺有朝一日很有可能容许手机上在一次电池充电的情形下应用一全部礼拜。她们说，这也能使一些电力能源密集的每日任务，包含数据加密工作中，更为节电，进而降低对自然环境的危害。

奇妙源码网把握到，现阶段 IBM 与三星并未表露预估什么时候将垂直传送场效晶体管设计方案运用在实际的商品，但预估迅速便会有进一步信息。

但是，tsmc早已在2021年 5 月公布与我国台湾大学、麻省理工大学一同科学研究，根据铋金属材料特点提升 1nm 制程生产制造極限，让制程技术下挫至 1nm 下列。而intel日前也早已发布其将来制程技术发展趋势合理布局，除开目前纳米技术 (nm) 级别制程设计方案，下面也会逐渐合理布局埃米 (Å) 级别制程技术，预估更快会在 2024 年进到 20A 制程技术。